Modèle : Samsung PM9C1B (Série OEM)
Capacité : 512 Go
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.4
Vitesse de Lecture Séquentielle : Jusqu’à 7 000 Mo/s
Vitesse d’Écriture Séquentielle : Jusqu’à 6 600 Mo/s
Lecture/Écriture Aléatoire : Jusqu’à 800K / 1300K IOPS
Contrôleur : Samsung In-House 5nm (Efficacité boostée)
Technologie NAND : Samsung V-NAND v7 (176 couches)
Format : M.2 2280
Efficacité : Jusqu’à 70% d’amélioration de la performance par watt (vs PM9B1)
Capacité : 512 Go
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.4
Vitesse de Lecture Séquentielle : Jusqu’à 7 000 Mo/s
Vitesse d’Écriture Séquentielle : Jusqu’à 6 600 Mo/s
Lecture/Écriture Aléatoire : Jusqu’à 800K / 1300K IOPS
Contrôleur : Samsung In-House 5nm (Efficacité boostée)
Technologie NAND : Samsung V-NAND v7 (176 couches)
Format : M.2 2280
Efficacité : Jusqu’à 70% d’amélioration de la performance par watt (vs PM9B1)
الفئات:
المكونات والملحقات
المنطقة:
وهران /
الجزائر
وضع في:
29-04-2026 à 09:50:52
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