Spécifications techniques
Capacité : 512 Go
Format : M.2 2280 (22 mm x 80 mm)
Interface : PCIe Gen3 x4 NVMe
Type de mémoire flash : TLC 3D-NAND
Vitesse de lecture séquentielle : jusqu’à 3 100 Mo/s
Vitesse d’écriture séquentielle : jusqu’à 1 500 Mo/s
Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
Endurance : Conçue pour les cycles de charge élevés
Consommation électrique : Faible en veille et en utilisation active
Compatible avec les boîtiers NVMe : Oui
Capacité : 512 Go
Format : M.2 2280 (22 mm x 80 mm)
Interface : PCIe Gen3 x4 NVMe
Type de mémoire flash : TLC 3D-NAND
Vitesse de lecture séquentielle : jusqu’à 3 100 Mo/s
Vitesse d’écriture séquentielle : jusqu’à 1 500 Mo/s
Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
Endurance : Conçue pour les cycles de charge élevés
Consommation électrique : Faible en veille et en utilisation active
Compatible avec les boîtiers NVMe : Oui
الفئات:
إعلام آلي وهواتف
المنطقة:
الجزائر /
الجزائر
وضع في:
21-12-2025 à 14:05:35
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